PA-MBE grown p-n (p-ZnO:(As+Sb)/n-GaN) and p-i-n (p-ZnO:As/HfO(2)/n-GaN) heterojunctions as a highly selective UV detectors
- Afiliacje: ON4, ON4.2, SL1, SL1.2
- Data opublikowania (wydrukowania): 2014-01-01
- Strony: 310-313
- Wolumin: 605
- Autor: Przeździecka Ewa, Gościński Krzysztof, Gierałtowska Sylwia, Guziewicz Elżbieta, Jakiela Rafał, Kozanecki Adrian
- Tytuł publikacji: PA-MBE grown p-n (p-ZnO:(As+Sb)/n-GaN) and p-i-n (p-ZnO:As/HfO(2)/n-GaN) heterojunctions as a highly selective UV detectors
- DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.605.310
- Rok: 2014
- Czasopismo / konferencja / monografia: Key Engineering Materials