Diffusion and impurity segregation in hydrogen-implanted silicon carbide
- Afiliacje: SL1, SL1.2, SL3, SL3.1
- Data opublikowania (wydrukowania): 2014-06-11
- Impact factor: 2
- Impact factor txt: 2,185
- Strony: 223710-1-9
- Wolumin: 115
- Autor: Barcz Adam, Kozubal M., Jakiela Rafał, Ratajczak J., Dyczewski Jan, Gołaszewska K., Wojciechowski Tomasz, Celler G.K.
- Tytuł publikacji: Diffusion and impurity segregation in hydrogen-implanted silicon carbide
- DOI: https://doi.org/10.1063/1.4882996
- Rok: 2014
- Czasopismo / konferencja / monografia: Journal of Applied Physics