- Afiliacje:
SL1, SL1.2
- Data opublikowania (wydrukowania):
2019-02-18
- Impact factor:
1
- Impact factor txt:
1,21
- Strony:
74-79
- Wolumin:
444
- Autor:
Pągowska K., Kozubal M., Taube A, Guziewicz M., Gołaszewska-Malec K., Kruszka R., Jakiela Rafał, Piotrowska A.
- Tytuł publikacji:
Comparison of defect structure in Si and Ge ion implanted GaN epilayers by RBS/channeling
- Rok:
2019
- Czasopismo / konferencja / monografia:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B (Beam Interactions with Materials and Atoms)
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B (Beam Interactions with Materials and Atoms), 444 (2019)