- Afiliacje:
SL1, SL1.2, SL1.3
- Data opublikowania (wydrukowania):
2019-07-01
- Impact factor:
1
- Impact factor txt:
1,21
- Strony:
248-251
- Wolumin:
450
- Autor:
Pągowska K., Kozubal M., Taube A, Trajnerowicz A., Kruszka R., Gołaszewska-Malec K., Dynowska Elżbieta, Jakiela Rafał, Barcz Adam
- Tytuł publikacji:
Analysis of defect structure in GaN epilayers doped with implanted Si+ by RBS/c method
- Rok:
2019
- Czasopismo / konferencja / monografia:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B (Beam Interactions with Materials and Atoms)
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B (Beam Interactions with Materials and Atoms), 450 (2019)