Investigation of beryllium diffusion in HVPE-GaN grown in [11–20] and [10-10] crystallographic directions
- Afiliacje: SL1, SL1.2
- Data opublikowania (wydrukowania): 2022-01-01
- Impact factor: 4
- Impact factor txt: 4,644
- Strony: 106332
- Wolumin: 139
- Autor: Sierakowski K., Jakiela Rafał, Fijałkowski M., Sochacki T., Iwinska M., Kempisty P., Turek M., Bockowski M.
- Tytuł publikacji: Investigation of beryllium diffusion in HVPE-GaN grown in [11–20] and [10-10] crystallographic directions
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2021.106332
- Rok: 2022
- Czasopismo / konferencja / monografia: Materials Science in Semiconductor Processing