Nauka - IFPAN

Effect of stress on interface transformation in thin semiconducting layers

Afiliacje: ON1, ON1.2, ON4, ON4.5, SL1, SL1.3
Data opublikowania (wydrukowania): 2000-12-22
Impact factor: 1
Impact factor txt: 1,101
Strony: 117-119
Wolumin: 380
Autor: Bąk-Misiuk Jadwiga, Domagała Jarosław Z., Misiuk A., Sadowski Janusz, Żytkiewicz Zbigniew, Trela Jadwiga, Antonova I. V.
Tytuł publikacji: Effect of stress on interface transformation in thin semiconducting layers
DOI: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(00)01528-5
Rok: 2000
Czasopismo / konferencja / monografia: Thin Solid Films

Thin Solid Films, 380 (2000)

Afiliacje: ON3, ON3.2, {ON3.3}
Data opublikowania (wydrukowania): 2000-12-20
Strony: 159 - 166
Wolumin: 30
Autor: Szumiata T., Brzózka K., Gawroński M., Górka B., Jezuita K., Kulik Tadeusz, Żuberek Ryszard, Ślawska-Waniewska Anna, Greneche Jean M.
Tytuł publikacji: Mossbauer and magnetostriction studies of crystallisation process in FeCuSiB alloy
Rok: 2000
Czasopismo / konferencja / monografia: Molecular Physics Reports

Molecular Physics Reports, 30 (2000)

Afiliacje: ON1, ON1.3
Data opublikowania (wydrukowania): 2000-12-15
Impact factor: 3
Impact factor txt: 3,008
Strony: 16798-16801
Wolumin: 62
Autor: Stolpe I., Puhlmann N., Portugall O., Von Ortenberg M., Dobrowolski Witold, Sipatov A. Yu., Dugaev V. K.
Tytuł publikacji: Megagauss magnetospectroscopy of EuS/PbS multi-quantum wells
DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.16798
Rok: 2000
Czasopismo / konferencja / monografia: Physical Review B (Condensed Matter)

Physical Review B (Condensed Matter), 62 (2000)

Afiliacje: SL3, SL3.1
Data opublikowania (wydrukowania): 2000-12-15
Impact factor: 3
Impact factor txt: 3,008
Strony: R16310-R16313
Wolumin: 62
Autor: Ciulin V, Kossacki P., Haacke S., Ganiere J. D., Deveaud B., Esser A., Kutrowski Mirosław, Wojtowicz Tomasz
Tytuł publikacji: Radiative behaviour of negatively charged excitons in CdTe-based quantum wells: A spectral and temporal analysis
DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.R16310
Rok: 2000
Czasopismo / konferencja / monografia: Physical Review B (Condensed Matter)

Physical Review B (Condensed Matter), 62 (2000)

Afiliacje: ON1
Data opublikowania (wydrukowania): 2000-12-11
Impact factor: 1
Impact factor txt: 1,639
Strony: 10153-10160
Wolumin: 12
Autor: Wosiński Tadeusz, Yastrubchak Oksana, Mąkosa Andrzej, Figielski Tadeusz
Tytuł publikacji: Deep-level defects at lattice-mismatched interfaces in GaAs-based heterojunctions
DOI: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/314
Rok: 2000
Czasopismo / konferencja / monografia: Journal of Physics: Condensed Matter

Journal of Physics: Condensed Matter, 12 (2000)

Afiliacje: SL1, SL1.4
Data opublikowania (wydrukowania): 2000-12-11
Impact factor: 1
Impact factor txt: 1,639
Strony: 10313-10318
Wolumin: 12
Autor: Kret Sławomir, Dłużewski Paweł, Dłużewski Piotr, Sobczak Ewa
Tytuł publikacji: Measurement of dislocation core distribution by digital processing of high-resolution transmission electron microscopy micrographs: a new technique for studying defects
DOI: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/334
Rok: 2000
Czasopismo / konferencja / monografia: Journal of Physics: Condensed Matter

Journal of Physics: Condensed Matter, 12 (2000)

Fizyka w Szkole, 257 (2000)

Afiliacje: ON2, ON2.4, SL1, SL1.1, SL1.3
Data opublikowania (wydrukowania): 2000-12-03
Strony: 657-658
Wolumin: 2000-1
Autor: Pełka Jerzy, Paszkowicz Wojciech, Gierłowski Piotr, Domagała Jarosław Z., Lewandowski Stanisław J., Barbanera S., Knapp M.
Tytuł publikacji: X-ray diffraction study of thin films deposited by laser ablation on cold substrates from YBaCuO targets
Rok: 2000
Czasopismo / konferencja / monografia: Hasylab Annual Report (Changed to Photon Science Rep. in 2014)

Hasylab Annual Report (Changed to Photon Science Rep. in 2014), 36526 (2000)

Afiliacje: ON4, ON4.2, ON4.4
Data opublikowania (wydrukowania): 2000-12-01
Strony: 243
Wolumin: 2000-1
Autor: Pluciński Łukasz, Kowalski Bogdan, Kopalko Krzysztof, Orłowski Bronisław, Grzegory I., Porowski S., Einfeldt S., Falta J., Hommel Detlef, Johnson P. R.
Tytuł publikacji: A Comparison of the valence band structure of a GaN single crystal and MOVPE grown thin films-an angle -resolved photoemission study
Rok: 2000
Czasopismo / konferencja / monografia: Hasylab Annual Report (Changed to Photon Science Rep. in 2014)

Hasylab Annual Report (Changed to Photon Science Rep. in 2014), 36526 (2000)

Physical Review B (Condensed Matter), 62 (21) (2000)