Accessibility Tools

Unconventional pairing in few‑fermion systems at finite temperature

  • Afiliacje:
  • Data opublikowania (wydrukowania): 2022-10-19
  • Impact factor: 4
  • Impact factor txt: 4,996
  • Strony: ############
  • Wolumin: 12
  • Autor: Pęcak Daniel, Sowiński Tomasz
  • Tytuł publikacji: Unconventional pairing in few‑fermion systems at finite temperature
  • DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-022-22411-w
  • Rok: 2022
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Scientific Reports
Scientific Reports, 12 (2022)

Tailoring Magnetic Properties of Fe0.65Co0.35 Nanoparticles by Compositing with RE2O3 (RE = La, Nd, and Sm)

  • Afiliacje: ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 2022-10-18
  • Impact factor: 3
  • Impact factor txt: 3,748
  • Strony: 7290-1-14
  • Wolumin: 15 (20)
  • Autor: Djellal Nacira, Mekki Djamel Eddine, Pęczkowski Paweł, Navarro Elena, Tahraoui Tarek, Piętosa Jarosław, Michalik Jan Marek, Marin Pilar, Gondek Łukasz
  • Tytuł publikacji: Tailoring Magnetic Properties of Fe0.65Co0.35 Nanoparticles by Compositing with RE2O3 (RE = La, Nd, and Sm)
  • DOI: https://doi.org/10.3390/ma15207290
  • Rok: 2022
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Materials
Materials, 15 (20) (2022)

Experimental Investigation of the Generalized Euler Characteristic of the Networks Split at Edges

  • Afiliacje: ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 2022-10-14
  • Impact factor: 2
  • Impact factor txt: 2,592
  • Strony: 3785-1-10
  • Wolumin: 10 (20)
  • Autor: Farooq Omer (Doktorant), Akhshani Afshin, Białous Małgorzata, Bauch Szymon, Ławniczak Michał, Sirko Leszek
  • Tytuł publikacji: Experimental Investigation of the Generalized Euler Characteristic of the Networks Split at Edges
  • DOI: https://doi.org/10.3390/math10203785
  • Rok: 2022
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Mathematics
Mathematics, 10 (20) (2022)

Valence-Band Electronic Structure of ZnO and ZnO:N: Experimental and Theoretical Evidence of Defect Complexes

  • Afiliacje: , , ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 2022-10-10
  • Impact factor: 4
  • Impact factor txt: 4,931
  • Strony: ############
  • Wolumin: 18
  • Autor: Guziewicz Elżbieta, Volnianska Oksana, Demchenko I., Zeller P., Amati M., Gregoratti L.
  • Tytuł publikacji: Valence-Band Electronic Structure of ZnO and ZnO:N: Experimental and Theoretical Evidence of Defect Complexes
  • DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.18.044021
  • Rok: 2022
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Physical Review Applied
Physical Review Applied, 18 (2022)

Universal suppression of superfluid weight by non-magnetic disorder in s -wave superconductors independent of quantum geometry and band dispersion

  • Afiliacje: ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 2022-10-07
  • Impact factor: 6
  • Impact factor txt: 6,554
  • Strony: 1986-1-29
  • Wolumin: 13
  • Autor: Lau Alexander, Peotta Sebastiano, Pikulin Dmitry I., Rossi Enrico, Hyart Timo
  • Tytuł publikacji: Universal suppression of superfluid weight by non-magnetic disorder in s -wave superconductors independent of quantum geometry and band dispersion
  • DOI: https://doi.org/10.21468/SciPostPhys.13.4.086
  • Rok: 2022
  • Czasopismo / konferencja / monografia: SciPost Physics
SciPost Physics, 13 (2022)

Designing of experimental setup for impact induced mechanoluminescence measurements

  • Afiliacje: ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 2022-10-05
  • Impact factor: 5
  • Impact factor txt: 5,131
  • Strony: 112012
  • Wolumin: 203
  • Autor: Haider Syed Shabhi, Barzowska J, Sybilski Piotr, Suchocki Andrzej
  • Tytuł publikacji: Designing of experimental setup for impact induced mechanoluminescence measurements
  • DOI: https://doi.org/10.1016/j.measurement.2022.112012
  • Rok: 2022
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Measurement
Measurement, 203 (2022)

Origin of Surface Barrier Temperature Dependence for the Polar GaN Surface

  • Afiliacje: ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 2022-10-04
  • Impact factor: 4
  • Impact factor txt: 4,494
  • Strony: 5017-5025
  • Wolumin: 4
  • Autor: Zdanowicz E., Herman A.P., Sobańska Marta, Żytkiewicz Zbigniew, Olszewski W., Hommel Detlef, Kudrawiec R.
  • Tytuł publikacji: Origin of Surface Barrier Temperature Dependence for the Polar GaN Surface
  • DOI: https://doi.org/10.1021/acsaelm.2c01016
  • Rok: 2022
  • Czasopismo / konferencja / monografia: ACS Applied Electronic Materials
ACS Applied Electronic Materials, 4 (2022)

Dissipative Parametric Gain and Multiphoton Effects in Quantum GaAs/AlGaAs Superlattice

  • Afiliacje: ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 2022-10-01
  • Strony: 1-3
  • Autor: Čižas V., Subačius L., Alexeeva Natalia V., Seliuta D., Hyart Timo, Köhler K., Alekseev Kirill N., Valušis Gintaras
  • Tytuł publikacji: Dissipative Parametric Gain and Multiphoton Effects in Quantum GaAs/AlGaAs Superlattice
  • DOI: https://doi.org/10.1109/IRMMW-THz50927.2022.9896026
  • Rok: 2022
  • Czasopismo / konferencja / monografia: MONOGRAFIA
MONOGRAFIA, (2022)

Conformational ensemble of the full-length SARS-CoV-2 nucleocapsid (N) protein based on molecular simulations and SAXS data

  • Afiliacje: ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 2022-09-30
  • Impact factor: 3
  • Impact factor txt: 3,628
  • Strony: 106843-1-8
  • Wolumin: 288
  • Autor: Różycki Bartosz, Boura Evzen
  • Tytuł publikacji: Conformational ensemble of the full-length SARS-CoV-2 nucleocapsid (N) protein based on molecular simulations and SAXS data
  • DOI: https://doi.org/10.1016/j.bpc.2022.106843
  • Rok: 2022
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Biophysical Chemistry
Biophysical Chemistry, 288 (2022)

Hierarchically porous GaN thin films fabricated using high fluence Ar ion implantation of epitaxial GaN on sapphire

  • Afiliacje: , , ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 2022-09-30
  • Impact factor: 2
  • Impact factor txt: 2,358
  • Strony: 139439-1-7
  • Wolumin: 758
  • Autor: Borysiewicz M., Juchniewicz M., Prystawko Paweł, Zagojski A., Wzorek A., Ekielski M., Pągowska K., Zaleszczyk Wojciech
  • Tytuł publikacji: Hierarchically porous GaN thin films fabricated using high fluence Ar ion implantation of epitaxial GaN on sapphire
  • DOI: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2022.139429
  • Rok: 2022
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Thin Solid Films
Thin Solid Films, 758 (2022)
Save
Cookies user preferences
We use cookies to ensure you to get the best experience on our website. If you decline the use of cookies, this website may not function as expected.
Accept all
Decline all
Read more
Essential
Essential cookies
These cookies are necessary for the correct operation of the website and therefore cannot be disabled on this level; the use of these cookies does not involve the processing of personal data. While you can disable them via your browser settings, doing so may prevent the website from working normally.
Accept
Analytical cookies
These cookies are particularly intended to enable the website administrator to monitor the website traffic statistics, as well as the sources of traffic. Such data is typically collected anonymously.
Google Analytics
Accept
Decline