Electronic Levels of Isolated and Oxygen-Perturbed Hydrogen in Silicon and Migration of Hydrogen
- Afiliacje: ON4, ON4.5
- Data opublikowania (wydrukowania): 2001-12-01
- Impact factor txt: 0,893
- Strony: 134-138
- Wolumin: 308
- Autor: Bonde Nielsen K., Dobaczewski Leszek, Sogard S., Bech Nielsen B.
- Tytuł publikacji: Electronic Levels of Isolated and Oxygen-Perturbed Hydrogen in Silicon and Migration of Hydrogen
- Rok: 2001
- Czasopismo / konferencja / monografia: Physica B