Growth of High Quality, MOCVD Grown Ga-Polar GaN Layers on GaN Substrates after Novel Ion Etching

• Afiliacje: SL1, SL1.2
• Data opublikowania (wydrukowania): 16-11-99
• Strony: 573-577
• Wolumin: 176
• Autor: Weyher J. L., Zauner A. R. A., Brown P. D., Karouta F., Barcz Adam, Wojdak M., Porowski S.
• Tytuł publikacji: Growth of High Quality, MOCVD Grown Ga-Polar GaN Layers on GaN Substrates after Novel Ion Etching
• DOI: https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<573::AID-PSSA573>3.0.CO;2-A
• Rok: 1999
• Czasopismo / konferencja / monografia: Physica Status Solidi A - Applied Research (CLOSED 2004)

Anomaly of NdGaO 3 single crystals dieelectric properties in the temperature range 80-300 K

• Afiliacje: ON4, ON4.1
• Data opublikowania (wydrukowania): 01-01-99
• Strony: 57-63
• Wolumin: 70
• Autor: Savytskii Dmytro I., Ubizskii S. B., Matkovskii A. O., Suchocki Andrzej, Bismayer U., Pashkov V. M., Borisov V. N., Alexandrovskii A. N., Soldatov A. V.
• Tytuł publikacji: Anomaly of NdGaO 3 single crystals dieelectric properties in the temperature range 80-300 K
• DOI: https://doi.org/10.1080/01411599908241340
• Rok: 1999
• Czasopismo / konferencja / monografia: Phase Transitions

Zimna emisja elektronowa z warstw układu C60/C70+Ni

• Afiliacje: SL1, SL1.4
• Data opublikowania (wydrukowania): 01-01-99
• Strony: 83-86
• Wolumin: 123
• Autor: Czerwosz E., Adydan M., Dłużewski Piotr, Gierałtowski W., Kozłowski Mirosław, Starnawska E., Wronka H.
• Tytuł publikacji: Zimna emisja elektronowa z warstw układu C60/C70+Ni
• Rok: 1999
• Czasopismo / konferencja / monografia: Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej, Elektronika

Bożena Sikora-Dobrowolska (2)

Bożena Sikora-Dobrowolska (3)

Roman Minikayev

Anna Ciechan

Bożena Sikora-Dobrowolska

• Data rozprawy lub kolokwium habilitacyjnego: 25-03-25 14:00

• Data nadania: 24-04-25 10:25

Paweł Krupa

Olaf Morawski

• Data rozprawy lub kolokwium habilitacyjnego: 04-09-24 15:00

• Data nadania: 26-09-24 10:00