ON4.2 Zespół Fizyki Defektów i Technologii Warstw ALD

Zespół Fizyki Defektów i Technologii Warstw ALD ON 4.2 zajmuje się wytwarzaniem i badaniami nowych materiałów półprzewodnikowych i dielektrycznych, takich jak tlenki cynku, cyny, galu, hafnu, cyrkonu czy tytanu, zarówno niedomieszkowane jak też domieszkowane w celu zmiany właściwości elektrycznych, optycznych czy magnetycznych. Materiały te wytwarzane są metodą osadzania warstw atomowych (Atomic Layer Deposition, ALD) jako cienkie warstwy o grubości od kilku nanometrów do ok. 1 mikrometra. Prowadzone badania podstawowe nakierowane są głównie na późniejsze zastosowania tych materiałów w elektronice, fotowoltaice czy medycynie. W zespole prowadzone są unikatowe badania właściwości elektrycznych metodą spektroskopii głębokich poziomów defektowych (Deep Level Transient Spectroscopy, DLTS oraz Laplace DLTS), a także właściwości magneto-optycznych metodą optycznie detekowanego rezonansu magnetycznego (Optically Detected Magnetic Resonance, ODMR).