Cathodoluminescence and depth-profiling cathodoluminescence studies of interface properties in MOCVD-grown InGaN/GaN/ sapphire structures: role of GaN buffer layer
- Afiliacje: ON4, ON4.2
- Data opublikowania (wydrukowania): 01-06-01
- Impact factor: 1
- Impact factor txt: 1,222
- Strony: 22-31
- Wolumin: 177
- Autor: Godlewski Marek, Goldys Ewa M., Phillips M. R., Pakuła K., Baranowski Jacek M.
- Tytuł publikacji: Cathodoluminescence and depth-profiling cathodoluminescence studies of interface properties in MOCVD-grown InGaN/GaN/ sapphire structures: role of GaN buffer layer
- Rok: 2001
- Czasopismo / konferencja / monografia: Applied Surface Science