- Afiliacje: ON4, SL1, SL1.3
- Data opublikowania (wydrukowania): 17-05-19
- Impact factor: 1
- Impact factor txt: 1,471
- Strony: 1030-1-7
- Wolumin: 58 (SC)
- Autor: Amilusik M., Sochacki T., Fijałkowski M., Łucznik B., Iwinska M., Sidor A., Teisseyre Henryk Grzegorz, Domagała Jarosław Z., Grzegory I., Boćkowski M.
- Tytuł publikacji: Homoepitaxial growth by halide vapor phase epitaxy of semi-polar GaN on ammonothermal seeds
- Rok: 2019
- Czasopismo / konferencja / monografia: Japanese Journal of Applied Physics
Japanese Journal of Applied Physics, 58 (SC) (2019)