Tranzystory mikrofalowe HEMT AlGaN/GaN na monokrystalicznych podłożach GaN
- Kierownik projektu:
prof. dr hab. Zbigniew Żytkiewicz
- Zespół realizujący projekt:
ON 4.5 - Zespół wzrostu MBE nanostruktur azotkowych
- Rodzaj projektu:
NCBR PBS
- Okres realizacji:
2012-2016
- Identyfikator projektu:
PBS1/A3/9/2012_180169
- Przyznane środki dla IF PAN:
1 530 050 zł
- Waluta:
zł
- Całkowite środki konsorcjum:
7 434 569 zł
- Lider konsorcjum:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
- Instytucja finansująca:
NCBiR
2016, 2015, 2014, 2013, 2012
