Accessibility Tools

Przezroczysta struktura tranzystora polowego oraz sposób wykonania przezroczystej struktury tranzystora polowego

  • Tytuł patentu lub wzoru użytkowego: Przezroczysta struktura tranzystora polowego oraz sposób wykonania przezroczystej struktury tranzystora polowego
  • Autorzy: Sylwia Gierałtowska, Łukasz Wachnicki, Elżbieta Guziewicz, Marek Godlewski
  • Urząd Patentowy i szczegóły prawa wyłączności: Urząd Patentowy Rzeczpospolitej Polskiej - PL220830, data ogłoszenia 29.01.2016

Continue reading

Struktura lasera półprzewodnikowego

  • Tytuł patentu lub wzoru użytkowego: Struktura lasera półprzewodnikowego
  • Autorzy: Henryk Teisseyre, Adrian Kozanecki, Michał Szymański
  • Urząd Patentowy i szczegóły prawa wyłączności: Urząd Patentowy Rzeczpospolitej Polskiej - PL221135, data ogłoszenia 29.02.2016

Continue reading

Struktura lasera półprzewodnikowego

  • Tytuł patentu lub wzoru użytkowego: Struktura lasera półprzewodnikowego
  • Autorzy: Henryk Teisseyre, Adrian Kozanecki, Michał Szymański
  • Urząd Patentowy i szczegóły prawa wyłączności: Urząd Patentowy Rzeczpospolitej Polskiej - PL221156, data ogłoszenia 29.02.2016

Continue reading

Czujnik gazów i/lub substancji organicznych oraz sposób wytwarzania czujnika gazów i/lub substancji organicznych

  • Tytuł patentu lub wzoru użytkowego: Czujnik gazów i/lub substancji organicznych oraz sposób wytwarzania czujnika gazów i/lub substancji organicznych
  • Autorzy: Andrzej Stafiniak, Bogusław Boratyński, Iwona Zaborowska-Lindert, Adam Szyszka, Maria Ramiączek-Krasowska, Regina Paszkiewicz, Marek Taczała, Anna Baranowska-Korczyc, Krzysztof Fronc, Danek Elbaum
  • Urząd Patentowy i szczegóły prawa wyłączności: Urząd Patentowy Rzeczpospolitej Polskiej - PL221331, data ogłoszenia 31.03.2016

Continue reading

Niskotemperaturowy sposób wytwarzania epitaksjalnych warstw tlenku cynku // Low temperature process for producing epitaxial layers of zinc oxide

  • Tytuł patentu lub wzoru użytkowego: Niskotemperaturowy sposób wytwarzania epitaksjalnych warstw tlenku cynku // Low temperature process for producing epitaxial layers of zinc oxide
  • Autorzy: Łukasz Wachnicki, Elżbieta Guziewicz, Marek Godlewski
  • Urząd Patentowy i szczegóły prawa wyłączności: Urząd Patentowy Rzeczpospolitej Polskiej - PL222257, data ogłoszenia 29.07.2016

Continue reading

© 2022 IF PAN.  Realizacja* Sensorama logo nava
Save
Cookies user preferences
We use cookies to ensure you to get the best experience on our website. If you decline the use of cookies, this website may not function as expected.
Accept all
Decline all
Read more
Essential
Essential cookies
These cookies are necessary for the correct operation of the website and therefore cannot be disabled on this level; the use of these cookies does not involve the processing of personal data. While you can disable them via your browser settings, doing so may prevent the website from working normally.
Accept
Analytical cookies
These cookies are particularly intended to enable the website administrator to monitor the website traffic statistics, as well as the sources of traffic. Such data is typically collected anonymously.
Google Analytics
Accept
Decline