Sposób wytarzania heterostruktur półprzewodnikowych n-(Eu,Gd)Te/p-PbTe oraz heterostruktura do generowania liczb losowych
- Tytuł patentu lub wzoru użytkowego: Sposób wytarzania heterostruktur półprzewodnikowych n-(Eu,Gd)Te/p-PbTe oraz heterostruktura do generowania liczb losowych
- Autorzy: Andrzej Mąkosa, Sylwia Wrotek, Piotr Dziawa, Victor Osinnij, Badri Taliashvili, Zbigniew Takczyk, Rafał Jakieła, Tadeusz Figielski, Tadeusz Wosiński, Tomasz Story
- Urząd Patentowy i szczegóły prawa wyłączności: Urząd Patentowy Rzeczpospolitej Polskiej - PL215095, data ogłoszenia 31.10.2013