Niskotemperaturowy sposób wytwarzania epitaksjalnych warstw tlenku cynku // Low temperature process for producing epitaxial layers of zinc oxide
- Tytuł patentu lub wzoru użytkowego: Niskotemperaturowy sposób wytwarzania epitaksjalnych warstw tlenku cynku // Low temperature process for producing epitaxial layers of zinc oxide
- Autorzy: Łukasz Wachnicki, Elżbieta Guziewicz, Marek Godlewski
- Urząd Patentowy i szczegóły prawa wyłączności: Urząd Patentowy Rzeczpospolitej Polskiej - PL222257, data ogłoszenia 29.07.2016