Sposób selektywnego wytwarzania monokrystalicznych nanodrutów GaN
- Tytuł patentu lub wzoru użytkowego: Sposób selektywnego wytwarzania monokrystalicznych nanodrutów GaN
- Autorzy: Marta Sobańska, Zbigniew Żytkiewicz, Kamil Kłosek, Sylwia Gierałtowska, Krystyna Gołaszewska, Renata Kruszka
- Urząd Patentowy i szczegóły prawa wyłączności: Urząd Patentowy Rzeczpospolitej Polskiej - PL238695, data ogłoszenia 27.09.2021
