Accessibility Tools

Sposób wytwarzania półprzewodnikowej warstwy tlenku cynku

  • Tytuł patentu lub wzoru użytkowego: Sposób wytwarzania półprzewodnikowej warstwy tlenku cynku
  • Autorzy: Eliana Kamińska, Anna Piotrowska, Jacek Kossut
  • Urząd Patentowy i szczegóły prawa wyłączności: Urząd Patentowy Rzeczpospolitej Polskiej - PL215571, data ogłoszenia 31.12.2013

© 2022 IF PAN. Realizacja Sensorama

 

© 2022 IF PAN.  Realizacja* Sensorama logo nava
Save
Cookies user preferences
We use cookies to ensure you to get the best experience on our website. If you decline the use of cookies, this website may not function as expected.
Accept all
Decline all
Read more
Essential
Essential cookies
These cookies are necessary for the correct operation of the website and therefore cannot be disabled on this level; the use of these cookies does not involve the processing of personal data. While you can disable them via your browser settings, doing so may prevent the website from working normally.
Accept
Analytical cookies
These cookies are particularly intended to enable the website administrator to monitor the website traffic statistics, as well as the sources of traffic. Such data is typically collected anonymously.
Google Analytics
Accept
Decline