Sposób domieszkowania półprzewodników wanadem na koncentrację 1012-1013 cm-3 w procesie wytwarzania półizolujących kryształów na bazie CdTe metodą Bridgman'a
- Tytuł patentu lub wzoru użytkowego: Sposób domieszkowania półprzewodników wanadem na koncentrację 10¹²-10¹³ cmˉ³ w procesie wytwarzania półizolujących kryształów na bazie CdTe metodą Bridgman'a
- Autorzy: Andrzej Mycielski, Dominika Kochanowska, Marta Witkowska-Baran, Barbara Witkowska, Rafał Jakieła
- Urząd Patentowy i szczegóły prawa wyłączności: Urząd Patentowy Rzeczpospolitej Polskiej - PL244002, data ogłoszenia 20.11.2023
