Arrangement of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on silicon substrates with amorphous Al(2)O(3) buffers

• Afiliacje: ON4, ON4.2, ON4.5
• Data opublikowania (wydrukowania): 01-09-14
• Impact factor: 1
• Impact factor txt: 1,693
• Strony: 657-660
• Wolumin: 401
• Autor: Sobańska Marta, Wierzbicka Aleksandra (D. Czyżak Aleksandra), Kłosek Kamil, Borysiuk Jolanta, Tchutchulashvili Giorgi, Gierałtowska Sylwia, Żytkiewicz Zbigniew
• Tytuł publikacji: Arrangement of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on silicon substrates with amorphous Al(2)O(3) buffers
• DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.01.007
• Rok: 2014
• Czasopismo / konferencja / monografia: Journal of Crystal Growth

• Poprzedni
• Następny