2-D Finite-Element Modeling of ZnO Schottky Diodes With Large Ideality Factors

• Afiliacje: ON4, ON4.2
• Data opublikowania (wydrukowania): 18-09-12
• Impact factor: 2
• Impact factor txt: 2,318
• Strony: 2762-2766
• Wolumin: 59 (10)
• Autor: Arcari Mario, Scarpa Giuseppe, Lugli P., Tallarida G., Huby N., Guziewicz Elżbieta, Krajewski Tomasz, Godlewski Marek
• Tytuł publikacji: 2-D Finite-Element Modeling of ZnO Schottky Diodes With Large Ideality Factors
• DOI: https://doi.org/10.1109/TED.2012.2207459
• Rok: 2012
• Czasopismo / konferencja / monografia: IEEE Transactions on Electron Devices

• Poprzedni
• Następny