Recent advances in defect-selective etching of GaN
- Afiliacje: ON1
- Data opublikowania (wydrukowania): 15-03-00
- Impact factor: 1
- Impact factor txt: 1,492
- Strony: 151-156
- Wolumin: 210
- Autor: Weyher J. L., Brown P. D., Rouviere J.L., Wosiński Tadeusz, Zauner A. R. A., Grzegory I.
- Tytuł publikacji: Recent advances in defect-selective etching of GaN
- DOI: https://doi.org/10.1016/S0022-0248(99)00669-7
- Rok: 2000
- Czasopismo / konferencja / monografia: Journal of Crystal Growth