Diode characteristics of ZnO/ZnMgO nanowire p-n junctions grown on Si by molecular beam epitaxy
- Afiliacje: ON4
- Data opublikowania (wydrukowania): 27-03-21
- Impact factor: 4
- Impact factor txt: 4,051
- Strony: 115148
- Wolumin: 268
- Autor: Zielony E., Pietrzyk Mieczysław
- Tytuł publikacji: Diode characteristics of ZnO/ZnMgO nanowire p-n junctions grown on Si by molecular beam epitaxy
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2021.115148
- Rok: 2021
- Czasopismo / konferencja / monografia: Materials Science and Engineering B (Advanced Functional Solid-State Materials)