Ułatwienia dostępu

Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych

Misją oddziału jest pogłębienie wiedzy w dziedzinie półprzewodników szerokoprzerwowych, z ukierunkowaniem na rozwój technologii. W szczególności ddział skupia się na wybranych tlenkach metali grupy drugiej i azotków metali grupy trzeciej, umożliwiających tworzenie struktur o obniżonej wymiarowości (dwu- lub jednowymiarowych) oraz na badaniu właściwości fizycznych (m.in. optycznych i elektronowych)...

Aparatura

Varian Cary 5000 UV-VIS-NIR spectrophotometer with DRA 2500 diffuse reflectance accessory Horiba/Jobin-Yvon Fluorolog-3 spectrofluorometer with Quanta-phi integrating sphere and few solid-state and PMT detectors for UV-VIS-NIR spectral range Bruker EMX-plus EPR spectrometer Mono Vista CRS+ Raman spectrometer with 325, 532 and 785 nm lasers Ekspla YAG:Nd laser with OPO Bomem DA-3 FTIR...

Publikacje

Niektóre najnowsze publikacje A. Mukherjee, D. Wlodarczyk, A.K. Somakumar, P. Sybilski, R. Siebenaller, R. Rao, M.A. Susner, A. Suchocki, S.V. Boriskina, Synergistic Effects of Defects and Strain on Photoluminescence in Van der Waals Layered Crystal AgScP2S6, Adv. Optical Mater. 2024 (2024) 2400481. V. Chornii, K. Terebilenko, I. Guralskiy, M. Slobodyanik, V. Zozulia, S. Shova, Ya. Zhydachevskyy,...

Współpraca

Institute of High Pressure Physics Unipress, PAS, Warsaw, Poland Gdańsk University, Gdańsk, Poland Kazimierz Wielki University in Bydgoszcz, Bydgoszcz, Poland Cardinal Stefan Wyszynski University, Warsaw, Poland Institute of Electronic Materials Technology, Lukasiewicz Center, Warsaw, Poland Institute of Nuclear Physics, Polish AS, Krakow, Poland Universidad Autónoma De Madrid, Cantoblanco,...

ON4.1 Zespół spektroskopii wysokociśnieniowej

  • Kontakt do odziału:

    Kierownik zespołu:
    dr hab. Yaroslav Zhydachevskyy, prof. IF PAN
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

Zespół Spektroskopii Wysokociśnieniowej ON 4.1 zajmuje się badaniami optycznymi materiałów w warunkach ekstremalnych. Do badań ciśnieniowych są stosowane komory w kowadłami diamentowymi, pozwalającymi osiągać ciśnienia do około 400 kbar, w tym także w niskich temperaturach w okolicy 4K. Prowadzone są badania luminoforów do zastosowań oświetleniowych przy użyciu diod elektroluminescencyjnych (LED),...

Obszar badań

Nowe materiały luminoforowe emitujące w obszarach głębokiej czerwieni i bliskiej podczerwieni (NIR) oparte na kryształach tlenku domieszkowanych jonami metali przejściowych, takimi jak Cr3+, Mn4+ lub Fe3+, do zastosowań jako bezkontaktowe luminescencyjne czujniki temperatury i ciśnienia lub markery biologiczne. Badania luminoforów tlenkowych domieszkowanych jonami bizmutu miały na celu wyjaśnienie...

Zespół

  • Kontakt do odziału:

    Kierownik zespołu:
    prof. dr hab. Yaroslav Zhydachevskyy
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    Pracownicy naukowi
    dr hab. Agata Kamińska, prof. IF PAN
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    dr hab. Hanka Przybylińska, prof. IF PAN
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    prof. dr hab. Andrzej Suchocki, profesor
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    dr hab. Aleksander Wittlin, adiunkt
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    dr inż. Damian Włodarczyk, asystent
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    dr hab. Yaroslav Zhydachevskyy, prof. IF PAN
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    Pracownicy inżynieryjni i techniczni
    * mgr Syed Shabhi Haider
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    mgr Kamil Koroński
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    Ryszard Niegocki

    lic. Piotr Sybilski
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    Doktoranci
    * mgr Syed Shabhi Haider
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    mgr Saranya Narayanan
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    mgr Ajeesh Kumar Somakumar
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    mgr Vasyl Stasiv
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    Stypendyści
    mgr Anastasiia Karabut
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

    * podwójne zatrudnienie

Publikacje

2024    2023    2022    2021    2020 2024 M. Sarwar, R. Ratajczak, C. Mieszczyński, A. Wierzbicka, S. Gierałtowska, R. Heller, S. Eisenwinder, W. Woźniak, E. Guziewicz Defect accumulation in β-Ga2O3 implanted with Yb Acta Materialia 268, 119760 (2024), https://doi.org/10.1016/j.actamat.2024.119760 2023 S. Gierałtowska,...

ON4.2 Zespół Fizyki Defektów i Technologii Warstw ALD

  • Kontakt do odziału:
    Kierownik zespołu:
    prof. dr hab. Elżbieta Guziewicz, profesor
    Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.
Zespół Fizyki Defektów i Technologii Warstw ALD ON 4.2 zajmuje się wytwarzaniem i badaniami nowych materiałów półprzewodnikowych i dielektrycznych, takich jak tlenki cynku, cyny, galu, hafnu, cyrkonu czy tytanu, zarówno niedomieszkowane jak też domieszkowane w celu zmiany właściwości elektrycznych, optycznych czy magnetycznych. Materiały te wytwarzane są metodą osadzania warstw atomowych (Atomic...
Zapamiętaj ustawienia
Ustawienia plików cookies
Do działania oraz analizy naszej strony używamy plików cookies i podobnych technologii. Pomagają nam także zrozumieć w jaki sposób korzystasz z treści i funkcji witryny. Dzięki temu możemy nadal ulepszać i personalizować korzystanie z naszego serwisu. Zapewniamy, że Twoje dane są u nas bezpieczne. Nie przekazujemy ich firmom trzecim. Potwierdzając tę wiadomość akceptujesz naszą Politykę plików cookies.
Zaznacz wszystkie zgody
Odrzuć wszystko
Przeczytaj więcej
Essential
Te pliki cookie są potrzebne do prawidłowego działania witryny. Nie możesz ich wyłączyć.
Niezbędne pliki cookies
Te pliki cookie są konieczne do prawidłowego działania serwisu dlatego też nie można ich wyłączyć z tego poziomu, korzystanie z tych plików nie wiąże się z przetwarzaniem danych osobowych. W ustawieniach przeglądarki możliwe jest ich wyłączenie co może jednak zakłócić prawidłowe działanie serwisu.
Akceptuję
Analityczne pliki cookies
Te pliki cookie mają na celu w szczególności uzyskanie przez administratora serwisu wiedzy na temat statystyk dotyczących ruchu na stronie i źródła odwiedzin. Zazwyczaj zbieranie tych danych odbywa się anonimowo.
Google Analytics
Akceptuję
Odrzucam