Aby zapoznać się z nagraniem referatu, należy skontaktować się z prof. Andrzejem Szewczykiem: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

Własności topologicznych izolatorów (TI), takie jak półprzewodnikowe wnętrze i przewodząca powierzchnia, są fascynujące, ale trudne do wykorzystania w praktyce. Problemem są niedoskonałości strukturalne skutkujące lokalizacją EF w paśmie przewodnictwa (lub walencyjnym), a nie w przerwie dla stanów objętościowych. Na przykładzie standardowych TI, takich jak Bi₂Se₃ i Bi₂Te₃, omówię różne pomysły na rozwiązanie tego problemu, takie jak domieszkowanie, ale w szczególności opowiem o skuteczności niewielkich odstępstw od stechiometrii. Opowiem o kontrolowaniu struktury elektronowej poprzez równoczesne wykorzystanie takich technik eksperymentalnych jak STM/STS, ARPES, czy pomiar magnetooporu w ultraniskich temperaturach i wysokich polach magnetycznych, wspomaganych obliczeniami DFT. Opowiem też o naszych pracach związanych z kontrolowaniem EF za pomocą napięcia bramki (co nie jest trywialne z eksperymentalnego punktu widzenia). Opowiem też, co topologiczne izolatory mają wspólnego z topologicznym kwantowym przetwarzaniem danych. W szczególności pokażę do czego prowadzi połączenie TI z nadprzewodnikiem typu s, i dlaczego tzw. zerowe mody Majorany są tak obiecujące.

Wykład będzie prowadzony po polsku w sali 203, slajdy będą po angielsku. Dostępna będzie również transmisja ZOOM.

Informacje dotyczące sesji Zoom.