Ion implantation for isolation of AlGaN/GaN HEMTs using C or Al.

• Afiliacje: SL1, SL1.2
• Data opublikowania (wydrukowania): 01-05-15
• Impact factor: 1
• Impact factor txt: 1,616
• Strony: 1162-1169
• Wolumin: 212 (5)
• Autor: Taube A, Kamińska E., Kozubal M., Kaczmarski J., Wojtasiak W., Jasiński J., Borysiewicz M., Ekielski M., Juchniewicz M., Grochowski J., Myśliwiec J., Dynowska Elżbieta, Barcz Adam, Prystawko Paweł, Zajac M., Kucharski Robert, Piotrowska A.
• Tytuł publikacji: Ion implantation for isolation of AlGaN/GaN HEMTs using C or Al.
• DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.201431724
• Rok: 2015
• Czasopismo / konferencja / monografia: Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science

• Poprzedni
• Następny