Impact of thin LT-GaN cap layers on the structural and compositional quality of MOVPE grown InGaN quantum wells investigated by TEM

• Afiliacje: SL1, SL1.4
• Data opublikowania (wydrukowania): 02-05-11
• Impact factor txt: 0,467
• Strony: 660-662
• Wolumin: 119 (5)
• Autor: Ivaldi Francesco, Kret Sławomir, Szczepańska Alicja, Czernecki R., Kryśko M., Grzanka E., Leszczynski Michał
• Tytuł publikacji: Impact of thin LT-GaN cap layers on the structural and compositional quality of MOVPE grown InGaN quantum wells investigated by TEM
• DOI: https://doi.org/10.12693/APhysPolA.119.660
• Rok: 2011
• Czasopismo / konferencja / monografia: Acta Physica Polonica A

• Poprzedni
• Następny