Effects of annealing at argon pressure up to 1.2 Gpa on hydrogen - plasma etched and hydrogen - implanted single - crystalline silicon

• Afiliacje: SL1, SL1.2, SL1.3
• Data opublikowania (wydrukowania): 22-02-02
• Strony: 441-445
• Autor: Misiuk A., Bąk-Misiuk Jadwiga, Barcz Adam, Romano-Rodriguez A., Antonova I. V., Popov V. P., Londos C. A., Jun J.
• Tytuł publikacji: Effects of annealing at argon pressure up to 1.2 Gpa on hydrogen - plasma etched and hydrogen - implanted single - crystalline silicon
• Rok: 2002
• Czasopismo / konferencja / monografia: MONOGRAFIA

• Poprzedni
• Następny