Defect-related photoluminescence and photoluminescence excitation as a method to study the excitonic bandgap of AlN epitaxial layers: Experimental and ab initio analysis

• Afiliacje: ON4, ON4.1, ON4.5
• Data opublikowania (wydrukowania): 07-12-20
• Impact factor: 3
• Impact factor txt: 3,597
• Strony: 232101
• Wolumin: 117
• Autor: Kamińska Agata, Koroński Kamil, Strąk P., Wierzbicka Aleksandra (D. Czyżak Aleksandra), Sobańska Marta, Kłosek Kamil, Nechaev D.V., Pankratov V., Chernenko K., Krukowski Stanisław, Żytkiewicz Zbigniew
• Tytuł publikacji: Defect-related photoluminescence and photoluminescence excitation as a method to study the excitonic bandgap of AlN epitaxial layers: Experimental and ab initio analysis
• DOI: https://doi.org/10.1063/5.0027743
• Rok: 2020
• Czasopismo / konferencja / monografia: Applied Physics Letters

• Poprzedni
• Następny