Anisotropic strain relaxation and surface morphology related to asymmetry in the formation of misfit dislocations in InGaAs/GaAs heterostructures

• Afiliacje: ON1, ON1.2, SL1, SL1.4
• Data opublikowania (wydrukowania): 01-01-08
• Impact factor txt: 0,332
• Strony: 157-166
• Wolumin: 26
• Autor: Gelczuk Ł., Dąbrowska-Szata M., Serafińczuk J., Masalska A., Łusakowska Elżbieta, Dłużewski Piotr
• Tytuł publikacji: Anisotropic strain relaxation and surface morphology related to asymmetry in the formation of misfit dislocations in InGaAs/GaAs heterostructures
• DOI: https://doi.org/https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=4&cad=rja&uact=8&ved=2ahUKEwibkcGb5bvkAhUkAxAIHZIEAs8QFjADegQIBBAC&url=http%3A%2F%2Fwww.materialsscience.pwr.wroc.pl%2Fbi%2Fvol26no1%2Farticles%2Fms_2007_19INMAT_09.pdf&usg=AOvVaw3OgECVqj8llDxUsvNyfL-8
• Rok: 2008
• Czasopismo / konferencja / monografia: Materials Science-Poland

• Poprzedni
• Następny