INSTYTUT  FIZYKI  PAN

ODDZIAŁ FIZYKI PÓŁPRZEWODNIKÓW - ON1

Kierownik oddziału: prof. dr hab. Tomasz Story story@ifpan.edu.pl Sekretarka:  Mirosława Jasińska jasin@ifpan.edu.pl Tel.: (+48-22) 843 56 26; (+48-22) 843 70 01 lub 843 66 01 wew.2601;

ON1.1 Zespół fizyki półprzewodników AIIBVI ON1.2 Zespół fizyki i technologii warstw epitaksjalnych ON1.3 Zespół fizyki półprzewodników półmagnetycznych ON1.4 Zespół fizyki defektów strukturalnych w półprzewodnikach

Podstawowe kierunki badań: Doświadczalne i teoretyczne badania magnetycznych, termicznych, optycznych i galwanomagnetycznych własności kryształów litych i cienkich warstw półprzewodników półmagnetycznych grup II-VI, II-V i IV-VI.. Doświadczalne badania zjawisk magnetycznych, optycznych oraz transportu elektronowego w wielowarstwowych strukturach kwantowych opartych o chalkogenidki Eu (lub Mn) i półprzewodniki IV-VI (lub II-VI). Hodowla kryształów: Wzrost kryształów półprzewodników półmagnetycznych grup II-VI i IV-VI z Mn, Eu i Gd (standardową oraz ciśnieniową metodą Bridgmana) np., CdMnTe, ZnMnTe (również silnie domieszkowane na typ p fosforem). Wzrost monokryształów grupy IV-VI (PbS, PbSe, PbTe) i II-VI (ZnTe, CdMnTe, CdZnTe)o jakości umożliwiającej wykorzystanie ich jako podłoży w metodzie MBE metodą transportu fizycznego. Wzrost kryształów ZnO I ZnO:Mn metodą transportu chemicznego. Wzrost warstw półprzewodników półmagnetycznych IV-VI zawierających jony Mn, Eu i Gd metodą MBE np. PbMnTe, SnGdTe, SnMnTe i heterostruktur (Eu,Gd)Te-PbTe.

Układy pomiarowe i urządzenia technologiczne Magnetometr firmy LakeShore (zakres temperatur 1.3-300 K, pole magnetyczne do 9 T). Układ do pomiarów zjawisk transportu elektronowego (1.5-300 K, pole magnetyczne do 13T). Układ do pomiarów ciepła właściwego ( 0.4 -50 K, pole magnetyczne do 6T). Układ do pomiarów fotoluminescencji w obszarze widzialnym I bliskiej podczerwieni z laserem YAG. Magnetometr Kerr'a (1.5-300 K, pole magnetyczne do 0.2 T). Układ od analizy chemicznej kryształów metodą fluorescencji rentgenowskiej. Urządzenia technologiczne do hodowania kryształów litych II-VI I IV-VI. Metodą Bridgmana i transportu fizycznego i chemicznego. Urządzenia technologiczne do oczyszczania Mn, Mg, Te, Cd i innych metali i niemetali dla potrzeb technologii półprzewodników. Maszyna MBE dla wzrostu warstw półprzewodników IV-VI z Mn, Eu i Gd.

[ IF PAN ]   [ Oddziały Naukowe ]