Biblioteka Czasopisma Webmail
 
 
 
 
 
 
   Informator o Instytucie 
   Wirtualny Spacer 
 
 
   Konwersatorium IF PAN 
   Popularyzacja fizyki 
   Seminaria 
   Konferencje 
 
 
   Projekt MagTop    
   POIG 1.1.2 - Projekt kluczowy    
   POIG - Projekty    
   Projekt EAgLE    
   Projekt Baltic TRAM    
   Udział Polski w ESRF 
   Fundusze strukturalne UE    
 
 
   Studium doktoranckie 
   Projekt ERASMUS 
 
 
   Acta Physica Polonica A 
 
 
   Oferta dla przemysłu 
   Zamówienia publiczne 
 
 
 
 
google
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Rozmowa kwalifikacyjna na Studia Doktoranckie
   12 - 13.09, Instytut Fizyki PAN
 
 
OSIĄGNIĘCIA
 
 
 
 
Mesoscopic transport in electrostatically-defined spin-full channels in quantum Hall ferromagnets
Phys. Rev. Lett. 119, 046803 (2017)

Jednym z najpoważniejszych wyzwań stojących przed projektantami komputerów kwantowych, postulowanych od lat osiemdziesiątych ubiegłego wieku maszyn liczących, wykorzystujących do obliczeń prawa mechaniki kwantowej, znacznie szybszych i potężniejszych od obecnie używanych, jest problem dekoherencji. Spośród wielu proponowanych rozwiązań problemu dekoherencji, obok mniej lub bardziej skomplikowanych schematów korekcji błędów, najbardziej obiecującym wydaje się wykorzystanie tak zwanych niezmienników topologicznych, czyli właściwości fizycznych związanych z głęboko pojętymi symetriami, które pozostają niezmienione przy małych, lokalnych zaburzeniach danego systemu. Od lat trwają w związku z tym poszukiwania układów i obiektów fizycznych, które umożliwiałyby z jednej strony zbudowanie podstawowych klocków komputera kwantowego, kubitów pamięci i bramek kwantowych, zaś z drugiej, które by posiadały wymagane atrybuty topologiczne.

więcej →     


Magnetization switching in ferromagnets by adsorbed chiral molecules without current or external magnetic field
Nature Commun. 8, 14567 (2017)

W ferromagnetykach zmiana kierunku namagnesowania może być indukowana m.in. przez przyłożenie zewnętrznego pola magnetycznego albo przez prąd spolaryzowany spinowo. W przypadku zastosowania prądu spinowego zmiana ta zachodzi dzięki zjawisku transferu spinowego momentu skręcającego (spin-transfer torque STT effect). Polega ono na tym, że pole magnetyczne związane ze spinowym momentem pędu nośników oddziałuje z momentami magnetycznymi jonów znajdujących się w cienkiej warstwie ferromagnetyka. Ten mechanizm jest stosowany w nowoczesnych pamięciach komputerowych typu MRAM, jednak gęstość prądu wymagana do zainicjowania STT wynosi ok, 1 x 106 A cm-2 lub inaczej ok. 1 x 1025 elektronów s-1 cm-2. Taki stosunkowo wysoki prąd znacząco wpływa na strukturę i osiągane parametry pracy urządzeń.

więcej →     


Giant Rashba Splitting in Pb1-xSnxTe (111) Topological Crystalline Insulator Films Controlled by Bi Doping in the Bulk
Adv. Mater. 29, 1604185 (2017)

Jednym z najważniejszych odkryć w fizyce materii skondensowanej ostatnich lat było odkrycie izolatorów topologicznych. W tych nowych kwantowych materiałach symetria odwrócenia czasu i silne oddziaływanie spin-orbita prowadzą do tego, ze kryształy, które wewnątrz swojej objętości są izolatorami, na powierzchni przewodzą prąd jak metale. Materiały te, wykazują szereg unikalnych właściwości dotyczących transportu elektronowego. Do najważniejszych z nich zaliczyć trzeba fakt, że metaliczne stany powierzchniowe są topologicznie chronione tzn. odporne na wszelkie niemagnetyczne zaburzenia. Ta własność sprawia, że izolatory topologiczne są bardzo poważnie rozważane jako materiały dla zastosowań spintronicznych.

więcej →     
 
 
AKTUALNOŚCI
 
 
 
Prof. dr hab. Zbigniew Kisiel uczestniczył w odkryciu w atmosferze Tytana akrylonitrylu, substancji, która mogłaby być elementem składowym błon otaczających hipotetyczne organizmy żyjące w środowisku płynnego metanu na Tytanie
   01.08, Instytut Fizyki PAN
 
Dr Ewelina Milińska laureatką konkursu POWROTY ogłoszonego przez FNP
   01.08, Instytut Fizyki PAN
 
  
     18.07, Instytut Fizyki PAN
 
     
Mgr D. Jarosz, dr hab. H. Teisseyre, mgr M. Stachowicz, dr J. Domagała i prof. dr hab. Adrian Kozanecki otrzymali nagrodę za nalepszy plakat zaprezentowany na 7 International Workshop on Crystal Growth Technology, Potsdam, July 2-6, 2017
   10.07, Instytut Fizyki PAN
 
Zapraszamy na Sympozjum poświęcone 60-tej rocznicy urodzin prof. Mariusza Gajdy oraz prof. Mirosława Brewczyka. Sympozjum odbędzie się 20-go października 2017 r.
w IF PAN

   03.07, Instytut Fizyki PAN
 
 
WYDARZENIA
 
 
  Udział IF PAN w XXI Pikniku Naukowym PR i CN "Kopernik"
14 czerwca 2017
 
 
Obrazek z artykułu współautorstwa prof. dr. hab. Zbigniewa Kisiela "Corannulene and its complex with water: a tiny cup of water" umieszczony został na okładce czerwcowego numeru PCCP
8 czerwca 2017
 
  Prof. dr hab. Marek Berkowski został laureatem Nagrody im. Prof. Jana Czochralskiego za wybitne osiągnięcia naukowe i/lub aplikacje przyznanej za całokształt dorobku naukowego
31 maja 2017
 
  IX Sympozjum Doktoranckie IF PAN
   Program   Abstrakty   oraz   Plakat
29 - 31 maja 2017
 
  Instytut Fizyki PAN jest współorganizatorem polskiej edycji międzynarodowego konkursu Falling Walls Lab poświęconego prezentacji innowacyjnych pomysłów młodych badaczy z różnych dziedzin nauki.
23 maja - 25 lipca 2017
 
 
W dniu 23 maja 2017 r. Dyrektor Instytutu Fizyki PAN, Prof. dr hab. Roman Puźniak, symbolicznym aktem przecięcia wstęgi dokonał oficjalnego otwarcia nowego,
Międzyoddziałowego "Laboratorium Procesów Technologicznych Nanostruktur i Przyrządów Półprzewodnikowych" w IF PAN.

   Prezentacja
23 maja 2017
 
 
Dr Paweł Krupa otrzymał wyróżnienie za najlepszą pracę posterowa na konferencji:
6th edition of the conference on Biomolecules and Nanostructures w Podlesicach

19 maja 2017
 
więcej →     

 
 
 
 
 
BIEŻĄCE  SEMINARIA
 
 
  W najbliższym czasie nie są planowane nowe seminaria.
 
 
KONKURSY  I  OFERTY PRACY
 
 
  Doktorant/ka - stypendysta/ka, biofizyka molekularna   
(English ver.)
   28.07 - 15.09
 
  Doktorant/ka - stypendysta/ka, biofizyka molekularna   
(English ver.)
   28.07 - 15.09
 
  Specjalista do spraw biotechnologii   
(English ver.)
   27.07 - 31.08
 
  Adiunkt w dziedzinie biofizyki teoretycznej   
(English ver.)
   14.07 - 30.08
 
  Postdoc w dziedzinie krystalografii   
(English ver.)
   14.07 - 31.08
 
  Doktorant - stypendysta   
(English ver.)
   06.07 - 01.09
 
  Doktorant w zakresie teorii ultrazimnych gazów   
(English ver.)
   04.04 - 31.08
 
 
Oferta pracy - pracownik Działu Planowania i Rozliczeń
   07.08 - 21.08
 
 
rozwiń wcześniejsze konkursy →    
 

             
 
RESEARCH  HIGHLIGHTS
 
 
  Doubly Dressed Bosons: Exciton Polaritons in a Strong Terahertz Field
B. Piętka, N. Bobrovska, D. Stephan, M. Teich, M. Król, S. Winner, A. Pashkin, R. Mirek,1 K. Lekenta, F. Morier-Genoud, H. Schneider, B. Deveaud, M. Helm, M. Matuszewski, and J. Szczytko
Phys. Rev. Lett. 119, 7, 077403 (2017)
 
  ALMA detection and astrobiological potential of vinyl cyanide on Titan
Zbigniew Kisiel (co-author)
Science Advances 3, 7, e1700022 (2017)
 
  Mesoscopic Transport in Electrostatically Defined Spin-Full Channels in Quantum Hall Ferromagnets
A. Kazakov, G. Simion, Y. Lyanda-Geller, V. Kolkovsky, Z. Adamus, G. Karczewski, T. Wojtowicz, and L. P. Rokhinson
Phys. Rev. Lett. 119, 4, 046803 (2017)
 
  Spectrum of the Nuclear Environment for GaAs Spin Qubits
Łukasz Cywiński (co-author)
Phys. Rev. Lett. 118, 17, 177702 (2017)
 
  Magnetization switching in ferromagnets by adsorbed chiral molecules without current or external magnetic field
O. Ben Dor, S. Yochelis, A. Radko, K. Vankayala, E. Capua, A. Capua, S.-H. Yang, L. T. Baczewski, S. S. P. Parkin, R. Naaman, and Y. Paltiel
Nature Communications 8, 14567 (2017)
 
  wiecej publikacji →
 
 
DOKTORATY
 
 
PATENTY
 
 
  Dioda luminescencyjna emitująca światło białe oraz sposób wytwarzania diody luminescencyjnej
Henryk Teisseyre
Nr patentu: PL393292
 
  Diode laser
A. Bonanni, T. Devillers, T. Dietl, A. Grois, J. Suffczyński
Nr patentu: AT512938-B1, AT512938-A4
 
  Method for embedding magnetic nano-crystals into a semiconductor
A. Bonanni, T. Devillers, T. Dietl, T. Li, A. Navarro-Quezada
Nr patentu: AT512636-A4, AT512636-B1
 
  wiecej patentów →
 
 
 
Adres:     al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
Tel.:   (+48 22) 843 70 01 NIP:  525-000-92-75
Fax.:  (+48 22) 843 09 26 REGON:  000326061