Wzrost i charakteryzacja warstw Sn osadzanych na Co(0001)

Aby zapoznać się z nagraniem referatu, należy skontaktować się z prof. Andrzejem Szewczykiem: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.

Materiały topologiczne są bardzo obiecującym obiektem badań zjawisk spintronicznych ze względu na topologicznie chronione, spinowo spolaryzowane krawędziowe lub powierzchniowe stany przewodnictwa. Jednym z kluczowych problemów ograniczającym powszechnie zastosowanie znanych binarnych i trójskładnikowych materiałów topologicznych jest duża koncentracja defektów, co prowadzi do znacznego udział elektronów balistycznych w transporcie ładunku. Cyna w fazie α jest interesującym pierwiastkiem należącym do rodziny materiałów topologicznych w temperaturze pokojowej i z racji jednoatomowej budowy jest mniej podatna na występowanie zaburzeń związanych z defektami sieci krystalicznej. Wraz ze zmniejszającą się grubością, α-Sn ulega przejściu ze stanu, w którym jest topologicznym półmetalem Diraca 3D (TDS) do izolatora topologicznego 2D (TI) ale uzyskanie dostępu do topologicznych stanów powierzchniowych wymaga sąsiedztwa materiału uporządkowanego magnetycznie.

W trakcie prezentacji przedstawię możliwości wzrostu epitaksjalnego warstw α-Sn na podłożu Co(0001). Omówię procesy wzrostu przeprowadzane zarówno na podłożach o temperaturach pokojowych jak i o obniżonej temperaturze. Wzrost warstwy w niskiej temperaturze pozwala na tłumienie niepożądanych faz, zapobieganie tworzeniu się stopów na miedzypowierzchniach, a także powstawaniu kolumn lub wysokich wysp Sn. Z badań wykonanych przy użyciu mikroskopii elektronowej można stwierdzić, że w przypadku kriogenicznego wzrostu warstwy Sn granica między Sn i Co pozostaje ostra, a właściwości magnetyczne warstwy Co pozostają nienaruszone.

Warstwy badano metodą rezonansu magnetycznego (FMR) oraz selektywnego czasowo i atomowo rezonansu ferromagnetycznego (XFMR) w celu stwierdzenia występowania pompowania spinowego pomiędzy warstwami Co i permaloju. Analiza statystyczna danych eksperymentalnych za pomocą modelu opartego na równaniu Landaua – Lifshitza – Gilberta – Slonczewskiego pozwoliła na stwierdzenie istnienia silnego sprzężenia wymiany, jednakże nie znaleziono jednoznacznego dowodu na obecność pompowania spinowo zależnego.

Wykład będzie prowadzony w języku polskim w sali 203, dostępna będzie również transmisja ZOOM.

Informacje dotyczące sesji Zoom.