Ułatwienia dostępu

Formation of Ohmic Contacts to MOCVD Grown p-GaN by Controlled Activation of Mg

  • Afiliacje: ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 22-05-01
  • Impact factor txt: 0,592
  • Strony: 265-267
  • Wolumin: 82
  • Autor: Kamińska E., Piotrowska A., Barcz Adam, Bour D., Zieliński Marcin, Jasiński J.
  • Tytuł publikacji: Formation of Ohmic Contacts to MOCVD Grown p-GaN by Controlled Activation of Mg
  • Rok: 2001
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Materials Science and Engineering B (Advanced Functional Solid-State Materials)
Materials Science and Engineering B (Advanced Functional Solid-State Materials), 82 (2001)

Poskramiacze elektronów i dziur

  • Afiliacje: ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 22-05-01
  • Strony: 54-57
  • Wolumin: 5
  • Autor: Kossut Jacek
  • Tytuł publikacji: Poskramiacze elektronów i dziur
  • Rok: 2001
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Wiedza i Życie
Wiedza i Życie, 5 (2001)

Calculation of two-dimensional maps of diffuse scattering by a real crystal with microdefects and comparision of results obtained from three- crystal diffractometry

  • Afiliacje: ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 21-05-01
  • Impact factor: 1
  • Impact factor txt: 1,179
  • Strony: A87-A92
  • Wolumin: 34
  • Autor: Klad'ko V., Datsenko L., Bąk-Misiuk Jadwiga, Olikhovskii S., Machulin V, Prokopenko I., Molodkin V., Maksimenko Z. V.
  • Tytuł publikacji: Calculation of two-dimensional maps of diffuse scattering by a real crystal with microdefects and comparision of results obtained from three- crystal diffractometry
  • Rok: 2001
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Journal of Physics D (Applied Physics)
Journal of Physics D (Applied Physics), 34 (2001)

Orthorhombic Microdefects in Si Crystals

  • Afiliacje: ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 21-05-01
  • Impact factor: 1
  • Impact factor txt: 1,179
  • Strony: 1540-1542
  • Wolumin: 34 (10)
  • Autor: Borowski J., Nietubyć Robert, Auleytner Julian, Plugaru R.
  • Tytuł publikacji: Orthorhombic Microdefects in Si Crystals
  • Rok: 2001
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Journal of Physics D (Applied Physics)
Journal of Physics D (Applied Physics), 34 (10) (2001)

Structural and magnetic properties of GaMnAs layers with high-Mn content grown by migration-enhanced epitaxy on GaAs(100) substrates

  • Afiliacje: , , , , ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 21-05-01
  • Impact factor: 3
  • Impact factor txt: 3,906
  • Strony: 3271-3273
  • Wolumin: 78 (21)
  • Autor: Sadowski Janusz, Mathieu R., Svedlindh P., Domagała Jarosław Z., Bąk-Misiuk Jadwiga, Świątek Krzysztof, Karlsteen M., Kanski J., Ilver L., Asklund H., Sodervall U.
  • Tytuł publikacji: Structural and magnetic properties of GaMnAs layers with high-Mn content grown by migration-enhanced epitaxy on GaAs(100) substrates
  • Rok: 2001
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, 78 (21) (2001)

Structural and magnetic study of Co/Gd multilayers deposited on Si and Si-N substrates

  • Afiliacje: , , , , , ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 21-05-01
  • Impact factor: 1
  • Impact factor txt: 1,179
  • Strony: A208-A213
  • Wolumin: 34 (10A)
  • Autor: Pełka Jerzy, Paszkowicz Wojciech, Dłużewski Paweł, Dynowska Elżbieta, Wawro Andrzej, Baczewski Lech, Kozłowski Mirosław, Wiśniewski Andrzej, Seeck O., Messoloras S. , Gamari-Seale H.
  • Tytuł publikacji: Structural and magnetic study of Co/Gd multilayers deposited on Si and Si-N substrates
  • Rok: 2001
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Journal of Physics D (Applied Physics)
Journal of Physics D (Applied Physics), 34 (10A) (2001)

Hole-mediated ferromagnetism in tetrahedrally coordinated semiconductors

  • Afiliacje: ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 15-05-01
  • Impact factor: 3
  • Impact factor txt: 3,065
  • Strony: 195205-1-21
  • Wolumin: 63 (19)
  • Autor: Dietl Tomasz, Ohno H., Matsukura F.
  • Tytuł publikacji: Hole-mediated ferromagnetism in tetrahedrally coordinated semiconductors
  • Rok: 2001
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Physical Review B (Condensed Matter)
Physical Review B (Condensed Matter), 63 (19) (2001)

Thickness-dependent valence-band photoemission from thin InAs and GaAs films

  • Afiliacje: ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 15-05-01
  • Impact factor: 3
  • Impact factor txt: 3,065
  • Strony: 195314
  • Wolumin: 63
  • Autor: Asklund H., Ilver L., Kanski J., Mankefors S., Sodervall U., Sadowski Janusz
  • Tytuł publikacji: Thickness-dependent valence-band photoemission from thin InAs and GaAs films
  • Rok: 2001
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Physical Review B (Condensed Matter)
Physical Review B (Condensed Matter), 63 (2001)

Dynamics of spontaneous growth of light-induced sodium droplets from the vapour phase

  • Afiliacje: ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 14-05-01
  • Impact factor: 2
  • Impact factor txt: 2,332
  • Strony: 1651-1671
  • Wolumin: 34 (9)
  • Autor: Demianiuk Sławomir, Kolwas Krystyna
  • Tytuł publikacji: Dynamics of spontaneous growth of light-induced sodium droplets from the vapour phase
  • Rok: 2001
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Journal of Physics B (Atomic, Molecular and Optical Physics)
Journal of Physics B (Atomic, Molecular and Optical Physics), 34 (9) (2001)

Badania warstw HfO2 metodą AFM i metodami rentgenowskimi

  • Afiliacje: , , , ,
  • Data opublikowania (wydrukowania): 13-05-01
  • Strony: 60-62
  • Wolumin: 42 (8/9)
  • Autor: Ciosek J., Pankowski Piotr, Pełka Jerzy, Paszkowicz Wojciech, Baczewski Lech
  • Tytuł publikacji: Badania warstw HfO2 metodą AFM i metodami rentgenowskimi
  • Rok: 2001
  • Czasopismo / konferencja / monografia: Elektronika - Konstrukcje, Technologie, Zastosowania
Elektronika - Konstrukcje, Technologie, Zastosowania, 42 (8/9) (2001)
Ustawienia plików cookies
Do działania oraz analizy naszej strony używamy plików cookies i podobnych technologii. Pomagają nam także zrozumieć w jaki sposób korzystasz z treści i funkcji witryny. Dzięki temu możemy nadal ulepszać i personalizować korzystanie z naszego serwisu. Zapewniamy, że Twoje dane są u nas bezpieczne. Nie przekazujemy ich firmom trzecim. Potwierdzając tę wiadomość akceptujesz naszą Politykę plików cookies.
Zaznacz wszystkie zgody
Odrzuć wszystko
Przeczytaj więcej
Essential
Te pliki cookie są potrzebne do prawidłowego działania witryny. Nie możesz ich wyłączyć.
Niezbędne pliki cookies
Te pliki cookie są konieczne do prawidłowego działania serwisu dlatego też nie można ich wyłączyć z tego poziomu, korzystanie z tych plików nie wiąże się z przetwarzaniem danych osobowych. W ustawieniach przeglądarki możliwe jest ich wyłączenie co może jednak zakłócić prawidłowe działanie serwisu.
Akceptuję
Analityczne pliki cookies
Te pliki cookie mają na celu w szczególności uzyskanie przez administratora serwisu wiedzy na temat statystyk dotyczących ruchu na stronie i źródła odwiedzin. Zazwyczaj zbieranie tych danych odbywa się anonimowo.
Google Analytics
Akceptuję
Odrzucam
Zapamiętaj ustawienia