Gałązka Robert Rafał









urodzony w 1937 r w Warszawie, ukończył studia na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego w 1960 r, doktorat w 1966 r, habilitacja w 1972 r, tytuł profesora nadwyczajnego w 1980 r i zwyczajnego w 1988 r,od 1961 pracuje w Instytucie Fizyki PAN, w latach 1982-1986 zastępca dyrektora IF PAN ds. Naukowych, a w latach 1999-2003 dyrektor IF PAN, obecnie kierownik Oddziału Fizyki Półprzewodników w IF PAN, autor 220 prac naukowych publikowanych w międzynarodowych czasopismach naukowych jak: Physical Review Letters, Physical Review B, Journal of Physics C, Journal of Crystal Growth i inne, oraz materiałach krajowych i zagranicznych. Główne zainteresowania: fizyka wzrostu kryształów, otrzymywanie związków półprzewodnikowych, stopów i kryształów półmagnetycznych, zjawiska transportu elektronowego, magnetotransport i transport kwantowy w półprzewodnikach, struktura pasmowa i poziomy pasmowe półprzewodników wąskoprzerwowych, własności elektronowe i magnetyczne półprzewodników półmagnetycznych, wpływ elektronów na własności półmagnetyków poprzez strukturę pasmową i koncentrację nośników.





Efekt Szubnikowa de Haasa jako metoda badania struktury pasmowej w półprzewodnikach

Półprzewodniki półmagnetyczne

Pierwsze polskie eksperymenty technologiczne w kosmosie